硅双极MMIC放大器级联
MP4TD0970
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
80毫安
功耗
2,3
750毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
热阻：
θ
jc
= 145 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.减额在6.9毫瓦/ ℃，锝> 91 ℃。
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 10 V
VCC - Vd的
ID =
RBIAS
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD0970
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 7.8 V
2
典型性能曲线@编号= 35 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
60
ID，设备电流（mA）
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
V D， D E V IC è V Ø L T A G E（ V）
回波损耗（分贝）
0
-5
回波损耗与频率
-1 0
输入
-1 5
Ø本安输出
-2 0
-2 5
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
功率增益VS电流
9
F = 0 。1G ħ ž
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
16
14
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
ID = 4 5m的
ID = 3 5m的
8
增益（dB ）
12
10
8
6
4
2
0
7
F = 2 0.0摹ħ ž
ID = 2 5m的
6
5
4
10
20
30
ID ， D E V IC权证ü R R简T（米A）
40
50
0. 1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
