硅双极MMIC放大器级联
器件的电流
75毫安
2,3
功耗
200毫瓦
RF输入功率
+13 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
jc
= 150
° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.减免为6.7毫瓦/ ℃，锝> 170 ℃。
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD4135 ， MP4TD4136
典型偏置配置
RBIAS
ID =
VCC - Vd的
RBIAS
VCC > 5.5 V
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
3
MP4TD4135
MP4TD4136
VD = 3.3 V
OUT
2
典型性能曲线@编号= 35 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
ID，设备电流（mA）
回波损耗（分贝）
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Vd的，器件电压（V）的
3.0
3.5
4.0
0
-5
回波损耗与频率
输入
-10
-15
-20
产量
-25
-30
-35
0.1
1
频率（GHz ）
10
功率增益VS电流
18
16
14
增益（dB ）
12
10
F = 2.0 GHz的
8
6
4
10
15
20
25
30
35
ID，设备电流（mA）
40
45
50
F = 0.1 GHz的
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
F = 0.5 GHz的
F = 1.0 GHz的
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
0.1
1
频率（GHz ）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
