硅双极MMIC放大器级联
MP4TD1100
典型偏置配置
RBIAS
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
百毫安
2,3
功耗
650毫瓦
RF输入功率
+13 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
JMS
= 60 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.安装面温度（ TMS ） = 25
°C.
3.减免16.7毫瓦/ ℃， TMS > 161℃
ID =
VCC - Vd的
RBIAS
VCC > 7.5 V
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
IN
1
MP4TD1100
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 5.5 V
2
典型性能曲线@编号= 60 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
回波损耗（分贝）
12 0
ID，设备电流（mA）
10 0
80
60
40
20
0
0
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
回波损耗与频率
在P ü吨
产量
2
4
V D， D E VI权证V Ø L T AG E（ V）
6
8
0.1
1
由于F R ê曲简ç ÿ （G ^ h Z）
10
14
12
10
增益（dB ）
8
6
4
2
0
功率增益VS电流
23
0 。1G ħ ž
0.5克ħ ž
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
1.0摹ħ ž
21
19
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
I D = 7 5百万
ID = 6 0米一
17
15
13
11
2 0.0摹ħ ž
I D = 40μm的
20
40
60
ID ， D E V IC权证ü R R简T（米A）
80
10 0
0. 1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
