硅双极MMIC放大器级联
MP4TD0670
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
50毫安
功耗
2,3
200毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
jc
= 150 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.减免为6.7毫瓦/ ℃，锝> 170 ℃。
IN
典型偏置配置
RBIAS
VCC - Vd的
ID =
RBIAS
VCC > 5.5 V
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
MP4TD0670
1
C（ DC挡）
3
OUT
VD = 3.5 V
2
典型性能曲线@编号= 16 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
25
ID，设备电流（mA）
0
-5
回波损耗（分贝）
-1 0
-1 5
-2 0
-2 5
-3 0
回波损耗与频率
输入
20
15
Ø本安输出
10
5
0
0
1
2
VD，设备VO LTAGE （ V）
3
4
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
功率增益VS电流
25
0 。1G ħ ž
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
20
增益（dB ）
0 0.5摹ħ ž
1.0摹ħ ž
15
2 0.0摹ħ ž
10
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
12
10
8
6
4
2
0
ID = 3 0微米的
ID = 2 0为m的
ID = 1 6μm的
5
0
10
15
20
25
30
ID ， D E V IC权证ü R R简T（米A）
35
40
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
