硅双极MMIC放大器级联
MP4TD0600
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
50毫安
2,3
功耗
200毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
jc
= 50℃ / W的
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.除鼠在20毫瓦/ ℃，锝> 190℃。
IN
C（ DC挡）
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 5.5 V
VCC - Vd的
RBIAS
ID =
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
3
MP4TD0600
1
VD = 3.5 V
OUT
2
典型性能曲线@编号= 16 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
回波损耗（分贝）
25
ID，设备电流（mA）
20
15
10
5
0
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
回波损耗与频率
输入
产量
1
2
VD， D E VIC Ë VO L T A G E（ V）
3
4
0.1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
25
20
增益（dB ）
15
10
5
0
功率增益VS电流
0.1克ħ ž
0 0.5摹ħ ž
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
为1.0G ħ ž
12
10
8
6
4
2
0
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
ID = 3 0米一
2 0.0摹ħ ž
ID = 20微米的
I D = 16微米的
10
15
20
25
30
35
40
0 .1
I D ， D E VIC权证ü R R简T（米A）
1
FR ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
2
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
