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MP4T85639 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MP4T85639
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内容描述: 中等功率高的fT NPN硅晶体管 [Moderate Power High fT NPN Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 9 页 / 104 K
品牌: MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
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中等功率高的fT NPN硅晶体管
典型性能曲线
MP4T856系列功耗
1400
功耗(MW )
1200
1000
800
600
400
200
0
0
MP4T85635 ( MICRO- X)的
自由的空气
MP4T85635 ( MICRO- X)的
无限大的散热器
MP4T86500 ( CHIP )
在散热片
300
250
MP4T856系列
MP4T856系列功耗
MP 4 T 8 5 6 3 3 39 ( ODS - 1 1 3 9 , 23男ICRO -X )
无限大的散热器
功耗(MW )
200
150
100
50
MP 4 T 8 5 6 3 3 3 9 ( ODS - 1 1 3 9 3 5米ICRO -X )
由于F R E E一IR
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
环境温度( C)
A M B IE NT· T E M·P é R A牛逼ü ř E( C)
MP4T85635
标称增益与频率
在VCE - 8伏, IC = 20mA下
30
25
增益(dB )
20
15
10
5
0
100
1000
频率(MHz)
10000
|S
21E
|
2
5
0
MAG
GTU (MAX)中
增益(dB )
30
25
20
15
10
MP4T85635
标称增益与频率
在VCE - 8伏, IC = 40毫安
GU ( MAX)
遗传算法(MAX)
|S
21E
|
2
100
1000
频率(MHz)
10000
MP4T85635
标称增益VS集电极电流
在F = 1 GHz和VCE = 8伏
18
17
16
15
增益(dB )
14
13
12
11
10
9
8
1
10
集电极电流(毫安)
100
GTU (MAX)中
|S
21E
|
2
25
MAG
增益(dB )
20
15
10
5
0
1
MP4T85600
标称增益VS集电极电流
在F = 1 GHz和VCE = 8伏
GU ( MAX)
|S
21E
|
2
10
集电极电流(毫安)
100
规格如有变更,恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ,圣何塞,加利福尼亚州95131
6
电话:( 408 ) 432-1480
传真:( 408 ) ) 432-3440