3伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T631035 ）
MP4T6310系列
功率降额曲线
80
70
功耗（MW ）
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü ř E（ C）
M P4T631033 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
M·P 4 T 6 3 1 0 3 5 （M IC R 0 -X ）
M P4T 63100 0 （ CH IP ）在FIN IT EHEAT单ķ
噪声系数和相关的增益在
VCE = 3V ， 1 GHz的VS集电极电流
16
14
噪声系数（dB ）
相关的增益（分贝）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
ASSOC IATE ð GAIN
N 2 O ISE FIGU ř Ë
10
C 0 LLE C TO R C ü R R简T（毫安）
增益与频率的VCE = 3 V和IC =
4毫安
16
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
|S
2 1E
|
2
GT û （M AX ）
1
C 0 LL EC T或-B ASE VO LTA GE （VO LTS ）
10
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 3V
15
增益带宽（千兆赫）
14
13
12
11
10
9
8
1
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10
增益（dB ）
增益与集电极电流为3 GHz的，
VCE = 3V
8
7
6
5
4
3
2
1
C 0 LL EC T或C ü R R EN T（毫安）
10
M股份公司
GT û （M AX ）
|S
21 E
|
2
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
4
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
