3伏，低噪声高fT的硅晶体管
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
MP4T6310系列
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
NF
GTU （MAX）中
单向增益
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 6毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 1毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
结/
环境
单位
GHz的
dB
MP4T631000
芯片
14典型。
MP4T631033
SOT-23
12 TYP 。
MP4T631035
微-X
14典型。
MP4T631039
SOT-143
12 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
1.5 TYP 。
1
75最大
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
600典型。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
1.结/散热器ř
TH
（J -C ）
2.自由空气
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.见典型性能曲线功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
10毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
-60mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
100
0.42
马克斯。
100
1
200
0.55
单位
nA
µA
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
