3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
MP4T6325系列
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
单向增益
NF
GTU （MAX）中
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
1.
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 2毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 15毫安
F = 900MHz的
结/
环境
结/
例
单位
GHz的
dB
MP4T632500
芯片
11典型。
MP4T632533
SOT-23
10 TYP 。
MP4T632535
微-X
11典型。
MP4T632539
SOT-143
11典型。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
° C / W
8典型。
70最大。
1
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
650典型。
200典型。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
8典型。
500典型。
200典型。
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
625典型。
200典型。
结/散热器ř
TH
（J -C ）
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.
见典型性能曲线的功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
25毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
150mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 5 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
90
0.52
马克斯。
100
1
200
0.70
单位
nA
µA
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
