硅双极高F
T
低噪声微波晶体管
绝对最大额定值
MP4T645系列
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结工作温度
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
在25 °总功率耗散
C
线性降额到：
+ 150 °芯片
C
+ 125 °塑料封装（ SOT -23 ）
C
+ 150 °陶瓷封装（微型X）
C
400毫瓦
200毫瓦
300毫瓦
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
25 V
12 V
1.5 V
65毫安
200°
C
在-65°至+ 200°
C
C
在-65°至+ 125°
C
C
MP4T645系列
电气规格@ 25 ℃
C
MP4T645系列
MP4T64500
测试参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
= 8伏
I
C
= 20毫安
V
CE
= 8伏
I
C
= 20毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
V
CE
= 8伏
I
C
= 7毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8伏
I
C
= 7毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 8伏
I
C
= 10毫安
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
V
CE
= 8伏
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 4 GHz的
符号
f
T
|S
21E
|
2
单位
GHz的
dB
典型值18
11分钟
7 TYP
NF
dB
1.7 MAX
2.0 （典型值）
GTU （MAX）中
dB
典型值18
典型值11
MAG
dB
典型值14
12 TYP
P
1dB
DBM
典型值16
典型值11
典型值16
典型值11
典型值16
典型值11
典型值13
10 TYP
典型值14
典型值11.5
典型值16
10 TYP
典型值17
典型值11
1.7 MAX
2.5 （典型值）
1.7 MAX
2.0 （典型值）
典型值16
10分钟
典型值17
10分钟
6.5 （典型值）
芯片
10 TYP
MP4T64535
SOT-23
8典型值
MP4T64533
微-X
9典型值
噪声系数
单向增益
最大可用增益
电源输出的1分贝
压缩
注意：
该MP4T64539 （ SOT- 143 ）的电特性是非常类似于MP4T64533 （SOT -23）的。
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
