中等功率高的fT NPN硅晶体管
电气规格@ 25 ℃
C
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
±15伏
I
E
= 0
µA
V
EB
= 1 VOLT
I
C
= 0
µA
V
CE
= 8伏
I
C
= 50毫安
V
CB
= 10伏
I
E
= 0
µA
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
CB
民
20
典型
90
0.60
MP4T243系列
V2.00
最大
10
1
250
0.08
单位
µA
µA
pF
在微-X封装典型散射参数
MP4T24335
V
CE
= 12伏,我
C
= 10毫安
频率
(兆赫)
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
S11E
MAG 。
0.598
0.612
0.549
0.709
0.794
0.899
1.013
1.108
1.161
1.161
1.161
角
-157
177
153
133
115
96
75
53
30
13
13
MAG 。
3.610
2.373
1.658
1.355
1.182
1.063
0.973
0.878
0.773
0.677
0.677
S21E
角
84.4
64.6
44.2
26.1
9.1
-7.4
-24.0
-41.0
-58.8
-73.2
-73.2
MAG 。
0.114
0.127
0.146
0.173
0.207
0.246
0.296
0.360
0.438
0.500
0.500
S12E
角
27.6
27.3
29.4
30.9
30.2
27.1
21.5
13.4
2.5
9.2
9.4
MAG
0.378
0.286
0.253
0.269
0.314
0.367
0.439
0.559
0.757
0.949
0.949
S22E
角
-73.4
-90.7
-113.2
-138.5
-162.2
170.8
157.0
135.6
116.4
103.4
103.6
V
CE
= 12伏,我
C
= 20毫安
频率
(兆赫)
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
S11E
MAG 。
0.574
0.591
0.635
0.696
0.788
0.890
1.018
1.106
1.165
1.147
1.147
角
-153
170
147
128
110
51
72
50
27
6
6
MAG 。
4.510
2.433
1.777
1.465
1.298
1.180
1.090
1.000
0.875
0.723
0.723
S21E
角
90.3
64.3
45.3
27.5
11.1
-5.3
-23.1
-40.9
-60.0
-79.5
-79.5
MAG 。
0.103
0.126
0.150
0.181
0.215
0.246
0.285
0.347
0.399
0.485
0.485
S12E
角
32.1
30.1
32.9
32.1
29.4
25.8
19.6
12.1
6.3
13.5
13.5
MAG
0.330
0.239
0.205
0.217
0.262
0.301
0.366
0.457
0.625
0.847
0.847
S22E
角
-78.0
-100.4
-126.2
-151.3
-169.0
-167.7
156.2
134.3
115.1
101.7
101.7
规格如有变更,恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ,圣何塞,加利福尼亚州95131
3
电话:( 408 ) 432-1480
传真:( 408 ) ) 432-3440