硅双极高F
T
低噪声中功率12伏晶体管
绝对最大额定值@ 25 ℃
C
MP4T24300
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
1
集电极电流
1
结温
储存温度
功耗
1,3
工作温度
2
1
1
MP4T243系列
V3.00
MP4T24335
微-X
25
12
1.5
110
200
-65到+200
400
150
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
T
T
CP
单位
伏
伏
伏
mA
°
C
°
C
mW
°
C
芯片
25
12
1.5
110
200
-65到+200
1000
150
集电极 - 发射极电压
1.在25℃的外壳温度（封装晶体管）或25 °安装面温度（芯片晶体管） 。
C
C
2.案例或粘接的表面温度。减额最大功耗额定值以最高工作温度零瓦。
3. MP4T24300结/壳体的热阻为50°
C /瓦标称。
电气规格@ 25 ℃
C
MP4T24300
参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
± 12伏特
I
C
= 40毫安
V
CE
± 12伏特
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
± 12伏特
I
C
= 20毫安
F = 1 GHz的
V
CE
± 12伏特
I
C
= 40毫安
F = 2 GHz的
V
CE
± 12伏特
I
C
= 40毫安
F = 2 GHz的
V
CE
± 12伏特
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
符号
f
T
|S
21E
|
2
单位
GHz的
dB
12分钟
8典型值
NF
dB
3 ，典型值
GTU （MAX）中
aB
典型值11
MAG
dB
典型值15
P
1dB
DBM
24 （典型值）
典型值22
24 （典型值）
典型值22
典型值15
典型值10.5
3 ，典型值
11分钟
8典型值
芯片
7 TYP
MP4T24335
微-X
7 TYP
噪声系数
单向增益
最大可用增益
电源输出为1 dB压缩
pecification如有更改，恕不另行通知。
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
