硅双极高的fT低噪声微波晶体管
绝对最大额定值
MP42001系列
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结工作温度
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
在25 ° C总功率耗散
509机箱样式
510机箱样式
35封装类型
450毫瓦
1.2 W
750毫瓦
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
20 V
15 V
1.5 V
125毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
MP42001系列
电气规格@ 25°C
MP42001系列
测试参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
= 10伏
I
C
= 35毫安
V
CE
= 10伏
I
C
= 28毫安
F = 100 MHz的
F = 450 MHz的
V
CE
= 10伏
I
C
= 5毫安
F = 60MHz的
F = 450千兆赫
V
CE
= 10伏
I
C
= 5毫安
F = 60MHz的
V
CE
= 10伏
I
C
= 10毫安
F = 60MHz的
F = 450 MHz的
符号
f
T
|S
21E
|
2
单位
GHz的
dB
典型值30
典型值16
NF
dB
1.2 （典型值）
1.7 （典型值）
GTU （MAX）中
dB
典型值30
P
1dB
DBM
不适用
不适用
典型值+5
典型值+2
+7 （典型值）
4 ，典型值
典型值28
典型值28
1.4 TYP
1.9典型值
1.5 （典型值）
2.3 TYP
典型值29
14分钟
典型值26
12分钟
MP4200100
芯片
2.3 TYP
MP4200135
微-X
1.5 （典型值）
MP42001-509
TO-72
1.5 （典型值）
噪声系数
单向增益
电源输出的1分贝
压缩
Z = 50欧姆
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
