摩托罗拉
半导体技术资料
MC14077B
请参阅第6-160
MC14078B ， MC14081B ， MC14082B
请参见第6-5页
MC14093B
四2输入？ NAND"
施密特触发器
的MC14093B施密特触发器与MOS P沟道构造和
N沟道在一个单一的整体结构增强型器件。
这些设备发现的主要用途，其中低功耗和/或高
抗噪声能力是需要的。的MC14093B可以代替的使用
MC14011B四2输入与非门，用于增强抗扰度或
“方达”慢慢改变波形。
•
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
•
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
•
所有输入三重保护二极管
•
引脚对引脚兼容CD4093
•
可用于替代MC14011B
•
独立的施密特触发器在每个输入
最大额定值*
（电压参考VSS）
符号
VDD
参数
直流电源电压
L结尾
陶瓷的
CASE 632
P后缀
塑料
CASE 646
ð后缀
SOIC
CASE 751A
订购信息
MC14XXXBCP
MC14XXXBCL
MC14XXXBD
塑料
陶瓷的
SOIC
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价值
单位
V
V
- 0.5〜 + 18.0
VIN，VOUT
IIN，电流输出
PD
输入或输出电压（ DC或瞬态）
- 0.5〜 VDD + 0.5
±
10
500
输入或输出电流（ DC或瞬态）
每个引脚
功耗，每包†
储存温度
mA
mW
TSTG
TL
- 65至+ 150
260
TA = - 55 °至125°C的所有软件包。
逻辑图
1
2
5
6
8
9
12
13
VDD = 14 PIN
VSS = PIN码7
3
_
C
_
C
4
焊接温度（ 8秒焊接）
*最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
†温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/
_
C来自65
_
C至125
_
C
陶瓷“L”套餐： - 12毫瓦/
_
c从100
_
C至125
_
C
10
11
等效电路示意
（电路的1/4所示）
该器件包含保护电路，以防止损坏
由于高的静态电压或电场。但是，必须注意事项
要注意避免超过最大额定更高任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作， Vin和
Vout的应被约束的范围内的VSS
≤
（ VIN或VOUT ）
≤
VDD 。
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压
电平（例如， VSS或VDD） 。未使用的输出必须悬空。
REV 3
1/94
©
摩托罗拉CMOS逻辑数据
摩托罗拉公司1995年
MC14093B
1
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
