BDX53CS 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDX53CS
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内容描述：	[Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 172 K
品牌：	MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]

BDX53B BDX53C BDX54B BDX54C

R（T ）有效的瞬变

热电阻（标准化）

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.05

0.02

单脉冲

单身

脉冲

P（ PK）

θJC

（吨）= R（T ）R

θJC

= 1.92 ° C / W

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

读取时间在T1

TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R

θJC

(t)

100

200 300

500

1000

D = 0.5

0.2

占空比D = T1 / T2

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0 5.0

吨，时间或脉冲宽度（毫秒）

图4.热响应

IC ，集电极电流（ AMP ）

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

5.0毫秒

1.0毫秒

100

µs

500

µs

TJ = 150℃

键合丝有限公司

限热@ TC = 25°C

（单脉冲）

二次击穿有限公司

曲线适用于低于额定VCEO

BDX53B ， BDX54B

BDX53C ， BDX54C

20 30

2.0 3.0

5.0 7.0 10

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

70 100

0.05

0.02

1.0

有对的功率处理能力两方面的局限性

晶体管的平均结温及第二突破性

下来。安全工作区曲线表明IC -VCE限制

必须可靠运行被观察的晶体管，

即，晶体管不能承受较大的耗散

灰比的曲线表示。

图5的数据是基于TJ （峰） = 150

℃; TC是

可变根据条件。其次，脉细数

限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）

150

C. TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算

URE 4.在高温度的情况下，热限制将

减少可处理到的值小于所述的功率

通过限制二次击穿的罚款。

图5.活动区安全工作区

10,000

的hFE ，小信号电流增益

5000

3000

2000

1000

500

300

200

100

1.0

2.0

300

TJ = + 25°C

200

C，电容（pF ）

TJ = 25°C

VCE = 3.0 V

IC = 3.0阿

PNP

NPN

5.0

50 100

男，频率（KHz ）

200

500

1000

100

PNP

NPN

0.1

0.2

兴业银行

COB

0.5

1.0 2.0

5.0 10

VR ，反向电压（伏）

100

图6.小信号电流增益

图7.电容

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

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