4N25 4N26 4N25A 4N27 4N28
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明） （ 1 ）
特征
输入LED
正向电压（ IF = 10 mA）的
TA = 25°C
TA = -55°C
TA = 100℃
VF
—
—
—
—
—
1.15
1.3
1.05
—
18
1.5
—
—
100
—
伏
符号
民
典型值
(1)
最大
单位
反向漏电流（ VR = 3V）
电容（ V = 0 V ， F = 1兆赫）
输出晶体管
集电极 - 发射极暗电流
（ VCE = 10 V ， TA = 25℃
（ VCE = 10 V ， TA = 100 ° C）
集电极 - 基极暗电流（ VCB = 10V）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1 mA）的
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100
µA)
发射极 - 集电极击穿电压（IE = 100
µA)
直流电流增益（ IC = 2毫安， VCE = 5V）
集电极 - 发射极电容（ F = 1MHz时， VCE = 0 ）
集电极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VCB = 0 ）
发射极 - 基极电容（ F = 1MHz时， VEB = 0 ）
再加
输出集电极电流（ IF = 10 mA时， VCE = 10 V）
4N25,25A,26
4N27,28
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 2毫安， IF = 50 mA）的
导通时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
Ω)
(3)
关断时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
Ω)
(3)
上升时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
Ω)
(3)
下降时间（ IF = 10 mA时， VCC = 10V ， RL = 100
Ω)
(3)
隔离电压中（f = 60赫兹，吨= 1秒）（4）
隔离电阻（ V = 500伏）（4）
隔离电容（V = 0V中，f = 1 MHz）的（4）
1.
2.
3.
4.
4N25,25A,26,27
4N28
所有器件
IR
CJ
µA
pF
ICEO
ICEO
ICBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） ECO
的hFE
CCE
建行
CEB
集成电路（ CTR）， （2）
—
—
—
—
30
70
7
—
—
—
—
1
1
1
0.2
45
100
7.8
500
7
19
9
50
100
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nA
µA
nA
伏
伏
伏
—
pF
pF
pF
MA（ ％ ）
2 (20)
1 (10)
7 (70)
5 (50)
0.15
2.8
4.5
1.2
1.3
—
—
0.2
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
—
伏
µs
µs
µs
µs
VAC （ PK）
Ω
pF
VCE （ SAT ）
吨
花花公子
tr
tf
VISO
RISO
CISO
—
—
—
—
—
7500
1011
—
始终以设计规定的最小/最大电限（如适用） 。
电流传输比（ CTR） = IC / IF ×100％ 。
测试电路的设置和波形，参见图11 。
对于本试验中，引脚1和2是常见的，并且引脚4 ， 5和6是常见的。
2
摩托罗拉光电设备数据
MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
