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V62C1802048L-150V 参数 Datasheet PDF下载

V62C1802048L-150V图片预览
型号: V62C1802048L-150V
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内容描述: 超低功耗256K ×8 CMOS SRAM [Ultra Low Power 256K x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 84 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1802048L(L)
读周期
(3,9)
(V
cc
= 1.8 to2.2V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
开机时间
掉电时
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
70
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-70
-
70
70
40
-
-
30
-
25
-
70
85
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-85
-
85
85
40
-
-
35
-
30
-
85
-100
100
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-
100
100
50
-
-
40
-
35
-
100
-150
150
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-
150
150
70
-
-
50
-
40
-
150
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
4,5
4,5
4,5
4,5
5
5
写周期
(3,11)
(V
cc
= 1.8〜 2.2V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-70
-85
-100
-150
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
150
120
120
0
100
0
60
0
-
5
4,5
4,5
4
修订版1.2
五月
2001年V62C1802048L ( L)