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    V62C1801024LL-150T 参数 Datasheet PDF下载

    V62C1801024LL-150T图片预览
    型号： V62C1801024LL-150T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗128K ×8 CMOS SRAM [Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 94 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V62C1801024LL-150T的Datasheet PDF文件第9页  
    V62C1801024L(L)
    直流工作特性
    (V
    cc
    = 1.8〜 2.2V ， GND = 0V ，T
    A
    = 0
    0
    C至+70
    0
    C / -40
    0
    C至85
    0
    C)
    参数
    输入漏电流
    输出漏
    当前
    工作电源
    电源电流
    平均开工
    当前
    符号
    测试条件
    V
    cc
    =最大，
    V
    in
    = GND到V
    cc
    CE1 = V
    IH
    或CE2 = V
    IL
    V
    cc
    =最大，V
    OUT
    = GND到V
    cc
    CE1 = V
    IL
    ， CE2 = V
    IH
    V
    IN
    = V
    IH
    或V
    IL
    , I
    OUT
    = 0毫安
    CE1 = V
    IL
    ， CE2 = V
    IH
    I
    OUT
    = 0毫安，
    分周期内， 100 ％的占空
    CE1 = 0.2V ，
    CE2 = V
    cc
    - 0.2V
    I
    OUT
    = 0毫安，
    周期时间= 1μs的时间， 100 ％占空比
    -70
    -
    -
    -
    -
    1
    1
    3
    25
    -
    -
    -
    -
    -85
    1
    1
    3
    20
    -100
    -
    -
    -
    -
    1
    1
    3
    15
    -
    -
    -
    -
    -150
    1
    1
    3
    15
    最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
    单位
    µA
    µA
    mA
    I
    I
    LI
    I
    I
    LO
    I
    CC
    I
    CC1
    mA
    I
    CC2
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    -
    3
    mA
    备用电源
    电流（ TTL电平）
    备用电源
    电流（ CMOS电平）
    I
    SB
    I
    SB1
    CE1 = V
    IH
    或CE2 = V
    IL
    CE1 > V
    cc
    - 0.2V或
    CE2 < 0.2V ， F = 0
    V
    IN
    ＆ LT ; 0.2V或
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    cc
    - 0.2V
    I
    OL
    = 2毫安
    I
    OH
    = -1毫安
    -
    0.5
    5
    1
    0.4
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6
    0.5
    5
    1
    0.4
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6
    0.5
    5
    1
    0.4
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6
    0.5
    5
    1
    0.4
    -
    mA
    L
    LL
    -
    -
    -
    1.6
    µA
    µA
    V
    V
    输出低电压
    输出高电压
    V
    OL
    V
    OH
    电容
    （ F = 1MHz的，T
    A
    = 25
    0
    C)
    参数*
    符号
    输入电容
    I / O容量
    测试条件
    V
    in
    = 0V
    V
    in
    = V
    OUT
    = 0V
    最大
    7
    8
    单位
    pF
    pF
    C
    in
    C
    I / O
    *这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。
    AC测试条件
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序
    参考电平
    0.4V至1.6V
    5ns
    输入电平的50％的
    (V
    IL
    + V
    IH
    )/2
    TTL
    C
    L
    *
    输出负载条件
    为70ns / 85纳秒
    C
    L
    = 30pF的+ 1TTL负荷
    负载为100ns / 150纳秒
    C
    L
    = 100pF电容+ 1TTL负荷
    图A.
    *包括范围和夹具电容
    4
    修订版1.1
    四月
    2001年V62C1801024L （ L）

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