欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V62C1164096 参数 Datasheet PDF下载

V62C1164096图片预览
型号: V62C1164096
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 256K ×16 , CMOS静态RAM [256K x 16, CMOS STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 169 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V62C1164096的Datasheet PDF文件第10页  
V62C1164096
CILETIV LESOM
读周期
参数
名字
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
BHZ
t
OH
AC电气特性
(在所有温度范围)
85
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
UBE , LBE访问时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
UBE , LBE到输出中低Z
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
UBE , LBE到输出中高Z
从地址变更输出保持
100
马克斯。
85
85
85
35
30
30
30
分钟。
85
10
10
10
0
0
0
10
分钟。
70
15
15
10
0
0
0
10
马克斯。
100
100
100
40
35
35
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
名字
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
BW
85
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据建立到写结束
从写结束数据保持
UBE , LBE ,以结束写的
100
马克斯。
25
分钟。
85
70
0
70
60
0
0
40
0
70
分钟。
100
80
0
80
70
0
0
45
0
80
马克斯。
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V62C1164096 1.0版2001年11月
6