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V62C1161024L-120T 参数 Datasheet PDF下载

V62C1161024L-120T图片预览
型号: V62C1161024L-120T
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内容描述: 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 121 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1161024L(L)
读周期
(9)
(V
cc
= 2V + 0.2V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
BLE , BHE使能到输出低-Z
BLE , BHE禁用到输出高-Z
BLE , BHE访问时间
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
BLZ
t
BHZ
t
BA
70
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-70
-
70
70
40
-
-
30
-
25
-
25
40
85
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-85
-
85
85
40
-
-
35
-
30
-
30
40
-100
100
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-
100
100
50
-
-
40
-
35
-
35
50
-120
120
-
-
-
10
10
-
5
-
5
-
-
-
120
120
60
-
-
40
-
40
-
40
60
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
4,5
3,4,5
4,5
3,4,5
写周期
(11)
(V
cc
= 2V + 0.2V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
BLE , BHE安装程序写入结束
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WHZ
t
OW
t
BW
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
60
-70
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
4
-85
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
70
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-100
100
-120
-
-
-
-
-
-
-
-
120
90
40
0
80
0
45
0
-
5
90
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
80
80
0
70
0
40
0
-
5
80
40
-
-
修订版1.1
四月
2001年V62C1161024L ( L)