V61C3181024 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V61C3181024
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内容描述：	128K ×8的高速静态RAM [128K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 80 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

茂矽

数据保持特性

符号

CCDR

V61C3181024

参数

数据保留

数据保持电流

≥

-0.2V ，CE

≤

0.2V,

≥

- 0.2V或V

≤

0.2V

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间（见保留波形）

≥

- 0.2V ，CE

≤

0.2V,

≥

- 0.2V或V

≤

0.2V

分钟。

2.0

典型值。

(2)

—

马克斯。

5.5

单位

µA

—

150

CDR

RC(1)

—

注意事项：

1. t

=读周期时间

2. T

= +25°C.

低V

数据保存波形图（ 1 ）（ CE

控制）

数据保持方式

4.5V

CDR

2.2V

≥

– 0.2V

≥

2.2V

3181024 07

4.5V

低V

数据保存波形图（ 2 ）（ CE

控制）

数据保持方式

4.5V

CDR

2.2V

≤

0.2V

≥

2.2V

3181024 08

4.5V

V61C3181024 1.3修订版1999年2月

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