V58C3643204SAT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V58C3643204SAT
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内容描述：	高性能3.3伏2M ×32 DDR SDRAM 4× 512K ×32 [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 2M X 32 DDR SDRAM 4 X 512K X 32]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	12 页 / 261 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

V58C3643204SAT

高性能

3.3伏2M ×32 DDR SDRAM

4× 512K ×32

初步

CILETIV LESOM

系统频率（F

)

时钟周期时间（T

CK3

)

时钟周期时间（T

CK4

)

225MHz

200兆赫

5纳秒

183兆赫

5.5纳秒

166兆赫

6纳秒

4.5纳秒

特点

4银行X 512K ×32的组织

与系统的高速数据传输速率

频率高达225 MHz的

用于控制数据写入面膜（ DM ）

由BA0 & BA1控制四家银行

可编程CAS延时： 3,4

可编程的缠绕顺序：顺序

或交织

可编程突发长度：

2，4， 8个全页顺序类型

2，4， 8个全页为交错型

自动和控制预充电命令

挂起模式和掉电模式

自动刷新和自刷新

刷新间隔： 2048次/ 16ms的

可提供100引脚TQFP

SSTL - 2兼容的I / O

双倍数据速率（ DDR ）

双向数据选通（DQS ），用于输入和

输出数据，有源上两边缘

片DLL对齐DQ和DQS与过渡

CLK转变

差分时钟输入CLK和CLK

电源3.3V ± 0.3V

描述

该V58C3643204SAT是四银行DDR

DRAM被划分为4个音库x 512K X 32。

V58C3643204SAT实现高速数据

通过采用芯片架构的传输速率是

预取多个位，然后同步

数据输出到系统时钟

所有的控制，地址的，电路是同步的

的发布用的外部支持的正边沿

合股时钟。 I / O事务是可能的两个

DQS的边缘。

操作四个存储体中跨

时尚阔叶允许随机访问操作

发生在更高的速率比用标准

DRAM的。一个顺序和无缝数据速率POS-

sible根据突发长度， CAS延迟和

该设备的速度等级。

设备使用图

操作

温度

范围

0 ° C至70℃

包装外形

100引脚TQFP

•

CLK的周期时间（纳秒）

-45

•

动力

-60

•

-50

•

-55

•

标准。

•

温度

标志

空白

V58C3643204SAT 1.4修订版2001年8月

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