欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V58C2256804S 参数 Datasheet PDF下载

V58C2256804S图片预览
型号: V58C2256804S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高性能2.5伏256兆位的DDR SDRAM [HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 256 Mbit DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 61 页 / 810 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V58C2256804S的Datasheet PDF文件第10页  
V58C2256(804/404/164)S
框图
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
BANK 0
银行1
2银行
列解码器
感测放大器&我( O)总线
CKE
CK , CK
DLL
频闪
将军
数据选通
的DQ
电容*
T
A
= 0至70℃ ,V
CC
= 2.5V
±
0.2V , F = 1兆赫
输入电容
符号
绝对最大额定值*
最大单位
3.0
3.0
5
5.0
pF
pF
pF
pF
BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS , ( CAS ,
A0 -A11 , WE)
输入电容( CK , CK )
数据& DQS I / O容量
输入电容(DM)的
C
INI
C
IN2
C
OUT
C
IN3
2
2
4
4
*注:电容进行采样,而不是100 %测试。
工作温度范围.................. 0 〜70℃
存储温度范围................- 55〜 150℃
V
DD
电源电压相对于V
SS
.....- 1V至+ 3.6V
V
DDQ
电源电压相对于V
SS
.................................................. ....- 1V至+ 3.6V
VREF与输入电压相对于V
SS
.................................................. ....- 1V至+ 3.6V
I / O引脚电压相对于V
SS
.......................................... -0.5V到V
DDQ
+0.5V
功耗..........................................为1.6W
数据输出电流(短路) ...................... 50毫安
*注意:
注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能导致设备的永久损坏。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
V58C2256 ( 804/404/164 )S版本1.4 2002年十月
6
QFC
RAS
CAS
WE
DM
CK
CK
CS
CILETIV LESO M
16M ×16
列地址
A0 - A8 , AP , BA0 , BA1
行地址
A0 - A11 , BA0 , BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
行解码器
存储阵列
行解码器
存储阵列
行解码器
存储阵列
行解码器
存储阵列
3银行
8192 x 256
X32位
8192 x 256
×32位
8192 x 256
×32位
8192 x 256
×32位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&定时发生器
DQ
0
-DQ
15