茂矽
地址输入的模式设置（模式寄存器操作）
A10 A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V54C333322V
地址总线（ AX）
模式寄存器
写突发长度
TEST
模式
CAS延迟
BT
突发长度
写突发长度
A9
0
1
长
BURST
单位
测试模式
A8
0
A7
0
模式
模式注册
SET
突发类型
A3
0
1
TYPE
顺序
交错
CAS延迟
A6
0
0
0
0
1
1
1
A5
0
0
1
1
0
1
1
A4
0
1
0
1
1
0
1
潜伏期
储备
储备
2
3
储备
储备
储备
突发长度
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
长
顺序
1
2
4
8
储备
储备
储备
整页
交错
1
2
4
8
储备
储备
储备
储备
开机和初始化
在模式寄存器的状态的默认电源
供应商特定的，可能是不确定的。该
并初始化序列以下电源
保证设备为前提，以每
用户的特定需求。象传统的DRAM ，
该同步DRAM必须被加电并
以预定的方式进行初始化。在动力上，
所有VCC和VCCQ引脚必须建立
同时，以规定的电压时的
输入信号被保持在“NOP”状态。电源
电压不能超过VCC + 0.3V的任何
输入引脚或VCC电源。 CLK信号
必须在同一时间开始。接通电源后，
200的初始暂停
µ
s的需要之后是
使用预充电两家银行的预充电
命令。为了防止数据冲突的DQ
电源接通期间的总线，它要求该DQM和
CKE引脚的初始暂停期间将举办高
期。一旦所有的银行都已预充电时，
模式寄存器设置命令必须发出
初始化模式寄存器。最少8
自动刷新周期（CBR ）也required.These
之前或编程模式后，可以进行
注册。不遵循这些步骤可能会导致
不可预知的启动模式。
V54C333322V 2.0修订版2000年5月
编程模式寄存器
该模式寄存器指定的操作
模式在读或写周期。该寄存器是二
vided到4场。突发长度字段设置
突发，寻址选择位的长度
程序一阵赛扬列访问顺序
第一百（交错或顺序） ，一个CAS号
潜伏期
场
设置在时钟周期和操作的访问时间
灰模场到正常操作之间的区别
关合作（突发读取和突发写入）和一个特殊的
突发读取和单写模式。该模式集
操作之前必须完成所有的COM激活
命令后，初始上电。的任何内容
模式寄存器可以通过重新执行被改变
模式设置命令。所有银行都必须在预
充电状态和CKE必须要高的至少一个
该模式的设置操作前的时钟。经过模式
寄存器设置，待机或NOP命令
所需。 RAS ，CAS和WE在低信号
在时钟的正边缘激活模式集
操作。地址输入的数据在这个时间定义
参数被设置为显示在前面的表中。
5
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
