V54C316162VC
自动预充电
两种方法可用于预充电
SDRAM芯片。在自动预充电模式中，
CAS时序接受一个额外的地址，
10
;若要
termine芯片是否还原或不后
操作。如果A
10
为高电平时读命令是
发出，
阅读自动预充电
功能
发起。在SDRAM自动进入预
最后一个数据之前进行充电操作的一个时钟
对于CAS的延迟2 ，两个时钟的CAS延迟3 。
如果一个
10
高发出写命令时，该
写带自动预充电
功能被启动。
在SDRAM自动进入预充电OP-
关合作的时间延迟等于t
WR
（写恢复
时间），在最后一个数据之后。
芯片进入自动刷新模式中，当
RAS和CAS保持低电平和CKE ，我们是
高举在时钟定时。该模式恢复字
刷新，且无需外部预充电线后
命令是必要的。最小tRC的时间重新
在一阵两个自动刷新之间quired
刷新模式。同样的规则也适用于任何访问
自动刷新操作后命令。
该芯片具有一个片上定时器和重新自我
新鲜的模式可用。进入该模式时，
RAS，CAS和CKE是低电平和WE为高电平，在一个
时钟定时。所有的外部控制信号包括
时钟被禁止。回到CKE高恩
禁止进入的时钟和启动刷新退出操作
化。退出命令，至少1吨后
RC
延迟
之前的任何访问命令是必需的。
DQM有两个功能用于数据I / O读和
写操作。在读操作期间，当它变成
“高”在一个时钟定时，数据输出被禁止
并成为高阻抗后两个时钟延迟
（ DQM数据禁用延迟吨
DQZ
） 。它也提供
数据屏蔽功能的写操作。当DQM被激
氧基团，在下一时钟的写操作是prohib-
资讯科技教育（ DQM写屏蔽延迟吨
DQW
=零时钟） 。
DQM用于设备的选择，选择字节
并在存储器中的系统总线的控制。 LDQM CON-
trols DQ0到DQ7 ， UDQM控制DQ8到DQ15 。
在正常的访问模式， CKE保持高恩
abling时钟。当CKE为低电平时，它冻结在 -
内部时钟和延伸数据的读写
操作。一个时钟延迟所需的模式
出入境（时钟暂停延迟吨
CSL
).
为了减少待机电力消耗，一
掉电模式下可用。所有银行都必须
预充电和必要的预充电延迟
（ TRP ）之前的SDRAM可以进入必须发生
掉电模式。一旦掉电模式
通过举办CKE低，所有的接收器发起税务局局长
cuits除了CLK和CKE被门关闭。电源
关断模式不执行任何操作刷新
系统蒸发散，因此该设备不能停留在电源
关断模式比的刷新周期（ TREF ）
该设备。退出该模式是由着以执行
ING CKE “高” 。一个时钟延迟所需的
模式的进入和退出。
CILETIV LESOM
DQM功能
挂起模式
掉电
预充电命令
还有一个单独的预充电命令
可用。当RAS和WE低， CAS是
在高时钟计时，它触发了预充电OP-
累加器。与A
10
是低， BA是用来选择
银行预充电。预充电命令可以是
施加一个时钟的最后一个数据输出为CAS之前
等待时间= 2 ，最后的数据输出为前两个时钟
CAS延迟时间= 3写入操作需要的时间延迟TWR
从最后的数据到应用预充电的COM
命令。如果A
10
高，所有银行都将被预充电。
突发终止
一旦突发的读或写操作已ini-
tiated ，有几种方法，其中，以termi-
过早奈特突发操作。这些
方法包括使用另一种读或写的COM
命令中断现有突发操作，使用
预充电命令来中断突发周期
关闭活跃的银行，或使用突发停止COM的
命令终止现有的突发操作，但
离开银行开放，未来的读或写的COM
mands活性银行的同一页。当
中断与其他的读或写突发
命令必须小心，以避免I / O conten-
化。突发停止命令，但是，有
使之成为最简单的方法来限制最少
终止突发操作时，才具有使用
已经完成。如果发出了一阵停止命令
突发写入操作过程中，那么任何残余
从猝发写周期的数据将被忽略。数据
这是呈现在I / O引脚前一阵
停止命令被注册将被写入到
内存。
V54C316162VC 1.4修订版2001年12月
7
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
