茂矽
开机和初始化
在模式寄存器的状态的默认电源
供应商特定的，可能是不确定的。该
并初始化序列以下电源
保证设备为前提，以每
用户的特定需求。象传统的DRAM ，
该同步DRAM必须被加电并
以预定的方式进行初始化。在动力上，
所有VCC和VCCQ引脚必须建立
同时，以规定的电压时的
输入信号被保持在“NOP”状态。电源
电压不能超过VCC + 0.3V的任何
输入引脚或VCC电源。 CLK信号
必须在同一时间开始。接通电源后，
200的初始暂停
µ
s的需要之后是
使用预充电两家银行的预充电
命令。为了防止数据冲突的DQ
电源接通期间的总线，它要求该DQM和
CKE引脚的初始暂停期间将举办高
期。一旦所有的银行都已预充电时，
模式寄存器设置命令必须发出
初始化模式寄存器。最少8
自动刷新周期（CBR ）也required.These
之前或编程模式后，可以进行
注册。不遵循这些步骤可能会导致
不可预知的启动模式。
V54C3128804VAT
操作之前必须完成所有的COM激活
命令后，初始上电。的任何内容
模式寄存器可以通过重新执行被改变
模式设置命令。所有银行都必须在预
充电状态和CKE必须要高的至少一个
该模式的设置操作前的时钟。经过模式
寄存器设置，待机或NOP命令是重新
quired 。 RAS ，CAS和WE在低信号
在时钟的正边缘激活的模式设置OP-
累加器。地址输入的数据在这个时间定义纸张
rameters要被设置为显示在前面的表中。
读写操作
当RAS低， CAS和WE高
在时钟的正边缘，一个RAS周期开始。
根据地址数据，所选的字线
ED银行被激活，所有的感测放大器为─
sociated于字线设置。一个CAS周期
通过设置RAS高， CAS低在触发
经过必要的延迟，T时钟定时
RCD
从
RAS时机。 WE是用来定义任一个读
（WE = H）或写（WE = L），在这个阶段。
SDRAM提供了多种快速访问
模式。在一个单一的CAS周期，串行数据读出或
被允许在高达125兆赫的写操作
数据速率。串行数据位的数目是
突发长度在编程模式下设置操作
化，即， 1 1 ，2，4 ， 8，和列地址
由脉冲串长度和串行数据被分割
访问被这个边界内完成。第一
要访问的列地址处被供给
CAS定时和随后的地址是gen-
通过编程自动爆裂erated
长度和它的序列。例如，在一个脉冲串
8与交错序列的长度，如果第一AD-
衣服是'2 '，则色同步信号序列的其余部分是3，
0,1， 6,7 ，4和5 。
编程模式寄存器
该模式寄存器指定的操作
模式在读或写周期。该寄存器是二
vided到4场。突发长度字段设置
突发，寻址选择位的长度
程序一阵赛扬列访问顺序
第一百（交错或顺序） ，一个CAS号
潜伏期
场
设置在时钟周期和操作的访问时间
灰模场到正常操作之间的区别
关合作（突发读取和突发写入）和一个特殊的
突发读取和单写模式。该模式集
V54C3128804VAT 1.4修订版2000年11月
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MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
