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    V53C832L40 参数 Datasheet PDF下载

    V53C832L40图片预览
    型号： V53C832L40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能3.3伏256K X 32 EDO页模式的CMOS动态RAM [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 18 页 / 181 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V53C832L40的Datasheet PDF文件第10页  
    茂矽
    AC特性
    （续）
    30
    #
    34
    35
    36
    37
    V53C832L
    35
    40
    笔记
    14
    14
    符号
    t
    WOH
    t
    OED
    t
    RWC
    t
    RRW
    t
    CWD
    t
    RWD
    t
    CRW
    t
    AWD
    t
    PC
    t
    CP
    t
    汽车
    t
    帽
    t
    DHR
    t
    企业社会责任
    t
    RPC
    t
    CHR
    t
    PCM
    t
    COH
    t
    OES
    t
    OEH
    t
    OEP
    t
    T
    t
    REF
    参数
    写OE保持时间
    OE数据延迟时间
    读 - 修改 - 写周期时间
    读 - 修改 - 写周期
    RAS脉冲宽度
    CAS以拖延
    RAS到我们拖延在读 -
    修改 - 写周期
    CAS脉冲宽度（ RMW ）
    上校地址到我们拖延
    EDO快页模式阅读
    或写周期时间
    CAS预充电时间
    列地址到RAS建立时间
    从列预充电时间访问
    在数据保持时间参考RAS
    CAS建立时间CAS-之前， RASRefresh
    RAS到CAS预充电时间
    CAS保持时间
    CAS先于RAS
    刷新
    EDO页面模式读取 - 修改 - 写周期时间
    CAS低后输出保持
    OE低到高CAS建立时间
    OE在读 - 修改保持时间从我们写
    周期
    OE高脉冲宽度
    转换时间（上升和下降）
    刷新间隔（ 512个周期）
    分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
    5
    5
    100
    65
    5
    5
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    70
    6
    6
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    V53C832L 1.6修订版1999年8月
    6

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