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V53C832L30 参数 Datasheet PDF下载

V53C832L30图片预览
型号: V53C832L30
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内容描述: 高性能3.3伏256K X 32 EDO页模式的CMOS动态RAM [HIGH PERFORMANCE 3.3 VOLT 256K X 32 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 181 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
真值表
功能
待机
阅读:双字
阅读:第一个字节
阅读:第二个字节
V53C832L
RAS
H
L
L
L
CAS0 CAS1 CAS2 CAS3我们
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
H
H
L
H
H
X
H
H
H
OE
X
L
L
L
地址I / O
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
高-Z
数据输出
I / O
1
-I / O
8
=数据输出
I / O
9
-I / O
32
=高阻
I / O
1
-I / O
8
=高阻
I / O
9
-I / O
16
=数据输出
I / O
17
-I / O
32
=高阻
I / O
1
-I / O
16
=高阻
I / O
17
-I / O
23
=数据输出
I / O
24
-I / O
32
=高阻
I / O
1
-I / O
23
=高阻
I / O
24
-I / O
32
=数据输出
DATA IN
I / O
1
-I / O
8
=数据
I / O
9
-I / O
32
= X
I / O
1
-I / O
8
= X
I / O
9
-I / O
16
=数据
I / O
17
-I / O
32
= X
I / O
1
-I / O
16
= X
I / O
17
-I / O
23
=数据
I / O
24
-I / O
32
= X
I / O
1
-I / O
23
= X
I / O
24
-I / O
32
=数据
数据输出,数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出,数据在
笔记
阅读:第三个字节
L
H
H
L
H
H
L
ROW / COL
阅读:第四个字节
写:双字
(早期写)
写:第一个字节
(早)
写:第二个字节
(早)
写:第三个字节
(早)
写:第四个字节
(早)
读 - 写
EDO页面模式读取
第一个周期
EDO页面模式读取
后续周期
EDO页面模式写
第一个周期
EDO页面模式写
后续周期
EDO页面模式
读 - 写
第一周期
EDO页面模式
读 - 写
后续周期
隐藏刷新阅读
RAS -ONLY刷新
CBR刷新
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
H
H
L
L
H
H
H
L
L
L
L
X
X
X
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
ROW / COL
L
H
H
L
H
L
X
ROW / COL
L
L
L
L
L
L
L
H
L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
H
L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
H
L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
L
L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
L
ħ → L
H
H
L
L
ħ → L
X
ROW / COL
L→H ROW / COL
L
L
X
X
ROW / COL
COL
ROW / COL
COL
1,2
2
2
2
2
2
L→H ROW / COL
L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
ħ → L
L→H COL
数据输出,数据在
2
L→H → L
L
ħ → L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
H
X
X
L
X
X
ROW / COL
ROW
X
数据输出
高-Z
高-Z
2
3
注意事项:
1.字节写周期CAS0 , CAS1 , CAS2 , CAS3或主动。
2.字节读周期CAS0 , CAS1 , CAS2 , CAS3或主动。
3.只有四个CAS ( CAS0 , CAS1 , CAS2 , CAS3或)中的一个必须是活动的。
V53C832L 1.6修订版1999年8月
8