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V53C518165A60 参数 Datasheet PDF下载

V53C518165A60图片预览
型号: V53C518165A60
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内容描述: 1M ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [1M x 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用:
文件页数/大小: 28 页 / 195 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 5 V
±
10%, t
T
= 2ns的,除非另有说明
限值
-50
#
符号
参数
分钟。
马克斯。
分钟。
-60
V53C518165A
AC特性
(5,6)
马克斯。
单位
通用参数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
t
RC
t
RP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
t
拉德
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
T
t
REF
随机读或写周期时间
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
CAS脉冲宽度
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS到RAS预充电时间
转换时间(上升和下降)
刷新周期
84
30
50
8
0
8
0
8
12
10
13
40
5
1
10k
10k
37
25
50
16
104
40
60
10
0
10
0
10
14
12
15
50
5
1
10k
10k
45
30
50
16
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
7
读周期
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
t
RAC
t
CAC
t
CAA
t
OAC
t
汽车
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
CLZ
t
关闭
t
OEZ
t
DZC
t
DZO
t
CDD
t
ODD
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
OE访问时间
列地址到RAS交货时间
READ命令设置时间
读命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
从OE输出关断延时
数据CAS延时低
数据OE低时延
CAS高到数据延迟
OE高到数据延迟
25
0
0
0
0
0
0
0
0
10
10
50
13
25
13
13
13
30
0
0
0
0
0
0
0
0
13
13
60
15
30
15
15
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
8
12
12
13
13
14
14
8, 9
8, 9
8,10
V53C518165A修订版1.1 1998年1月
5