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V53C518165A50 参数 Datasheet PDF下载

V53C518165A50图片预览
型号: V53C518165A50
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内容描述: 1M ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [1M x 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用:
文件页数/大小: 28 页 / 195 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
DC和工作特性
(1-2)
T
A
= 0
°C
70
°C,
V
CC
= 5 V
±
10%, V
SS
= 0 V ,T
T
= 2ns的,除非另有规定。
ACCESS
时间
广告
分钟。
–10
V53C518165A
EXTENDED
分钟。
–10
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
(任何输入引脚)
输出漏电流
(为高阻态)
马克斯。
10
马克斯。
10
单位测试条件
mA
mA
V
SS
£
V
IN
£
V
CC
+
0.5V
V
SS
£
V
OUT
£
V
CC
+
0.5V
RAS , CAS在V
IH
t
RC
= t
RC
(分)
笔记
1
–10
10
–10
10
1
I
CC1
V
CC
电源电流,
操作
V
CC
电源电流,
TTL待机
V
CC
电源电流,
RAS -ONLY刷新
V
CC
电源电流,
EDO页模式
手术
V
CC
电源电流,
在CAS先于RAS刷新
V
CC
电源电流,
CMOS待机
50
60
130
115
2
200
180
2
mA
2, 3, 4
I
CC2
I
CC3
mA
RAS , CAS在V
IH
其他投入
³
V
SS
t
RC
= t
RC
(分)
2, 4
50
60
50
60
50
60
130
115
50
40
130
115
1.0
200
180
90
75
200
180
1.0
mA
I
CC4
mA
最小周期
2, 3, 4
I
CC5
mA
t
RC
= t
RC
(分)
2, 4
I
CC6
mA
RAS
³
V
CC
– 0.2 V,
CAS
³
V
CC
– 0.2 V
其他输入
³
V
SS
CBR循环
t
RAS
³
t
RASS (分钟)
,
CAS保持为低电平,
WE = V
CC
-0.2V,
地址
D
IN
= V
CC
-0.2V或
0.2V
1
I
CC7
自刷新(可选)
250
250
mA
V
CC
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
电源电压
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
4.5
–0.5
2.4
5.5
0.8
V
CC
+0.5
0.4
4.5
–0.5
2.4
5.5
0.8
V
CC
+0.5
0.4
V
V
V
V
V
I
OL
= 4.2毫安
I
OH
= -5.0毫安
1
1
1
1
2.4
2.4
V53C518165A修订版1.1 1998年1月
4