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    V53C517405AT60 参数 Datasheet PDF下载

    V53C517405AT60图片预览
    型号： V53C517405AT60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DRAM|EDO|4MX4|CMOS|TSOP|26PIN|PLASTIC ]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 24 页 / 172 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V53C517405AT60的Datasheet PDF文件第10页  
    茂矽
    AC特性
    (5, 6)
    T
    A
    = 0〜 70 C，V
    CC
    = 5 V
    ±
    10 %, t
    T
    = 2纳秒
    -50
    #
    符号
    参数
    分钟。
    马克斯。
    分钟。
    -60
    V53C517405A
    马克斯。
    单位
    记
    写周期
    31
    32
    33
    34
    35
    36
    37
    t
    WCH
    t
    WP
    t
    WCS
    t
    RWL
    t
    CWL
    t
    DS
    t
    DH
    写命令保持时间
    WRITE命令的脉冲宽度
    写命令设置时间
    写命令到RAS交货期
    写命令到CAS交货期
    数据建立时间
    数据保持时间
    8
    8
    0
    8
    8
    0
    8
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    10
    10
    0
    10
    10
    0
    10
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    16
    16
    15
    读 - 修改 - 写周期
    38
    39
    40
    41
    42
    t
    RWC
    t
    RWD
    t
    CWD
    t
    AWD
    t
    OEH
    读 - 写周期时间
    RAS以拖延时间
    CAS以拖延时间
    列地址来拖延时间
    OE命令保持时间
    113
    64
    27
    39
    10
    –
    –
    –
    –
    –
    138
    77
    32
    47
    13
    –
    –
    –
    –
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    15
    15
    15
    EDO页面模式周期
    43
    44
    45
    46
    47
    48
    49
    t
    PC
    t
    CP
    t
    注册会计师
    t
    COH
    t
    RASP
    t
    的rHPC
    t
    OES
    EDO页模式周期时间
    CAS预充电时间
    从CAS预充电时间访问
    输出数据保持时间
    在EDO模式RAS脉冲宽度
    CAS预充电到RAS延迟
    OE设置时间之前CAS
    20
    8
    –
    5
    50
    27
    5
    –
    –
    27
    –
    200k
    –
    –
    25
    10
    –
    5
    60
    32
    5
    –
    –
    32
    –
    200k
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    7
    EDO页面模式读取 - 修改 - 写周期
    50
    51
    t
    PRWC
    t
    CPWD
    EDO页面模式读写周期时间
    CAS预充电到WE
    58
    41
    –
    –
    68
    49
    –
    –
    ns
    ns
    CAS先于RAS的刷新周期
    52
    53
    54
    55
    56
    t
    企业社会责任
    t
    CHR
    t
    RPC
    t
    WRP
    t
    WRH
    CAS建立时间
    CAS保持时间
    RAS到CAS预充电时间
    写RAS预充电时间
    写参考RAS保持时间
    10
    10
    5
    10
    10
    –
    –
    –
    –
    –
    10
    10
    5
    10
    10
    –
    –
    –
    –
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    V53C517405A修订版1.1 1998年3月
    6

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