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V53C318165A60 参数 Datasheet PDF下载

V53C318165A60图片预览
型号: V53C318165A60
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内容描述: 3.3伏1M ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM [3.3 VOLT 1M X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 270 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
(续)
#
33
34
35
36
V53C318165A
JEDEC
符号符号
t
WL1DX
t
WL1GL2
t
CH2RH2
t
RL2RL2
( RMW )
t
CL1WL2
t
RL1WL2
t
AVWL2
t
CL2CL2
t
CH2CL2
t
AVRH1
t
CH2QV
t
CL1RL2
t
RH2CL2
t
RL1CH1
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
RH2CL2
t
T
t
DH
t
WOH
t
PRWC
t
RWC
t
CWD
t
RWD
t
AWD
t
PC
t
CP
t
汽车
t
t
企业社会责任
t
RPC
t
CHR
t
RASP
t
RHCP
t
CPWD
t
CPT
t
WRP
t
WRH
t
CDD
t
ODD
t
T
t
REF
50
参数
数据保持时间
写OE保持时间
EDO页面模式读写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
60
70
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
8
10
58
113
10
13
68
138
12
15
77
162
ns
ns
ns
ns
10
10
38
39
CAS以拖延
RAS到我们拖延在读 - 修改 - 写
周期
列地址来拖延
EDO页面模式读取或写入周期时间
CAS预充电时间
列地址到RAS建立时间
从列预充电时间访问
CAS建立时间CAS先于RAS
刷新
RAS到CAS预充电时间
CAS保持时间CAS先于RAS刷新
RAS脉冲宽度( EDO模式)
CAS预充电时间RAS延迟
CAS预充电时间为WE
CAS预充电时间( CBR计数器测试)
写RAS预充电时间( CRB循环)
写保持时间参考RAS
( CRB循环)
CAS高到数据延迟
OE高到数据延迟
转换时间(上升和下降)
刷新间隔( 1024个周期)
27
64
32
77
36
89
ns
ns
10
10
40
41
42
43
44
46
39
20
8
25
27
10
47
25
10
30
32
10
54
30
10
35
37
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
6
47
48
50
51
52
53
54
55
5
10
50
27
41
35
10
10
200K
5
10
60
32
49
40
10
10
200K
5
10
70
37
56
40
10
10
200K
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
56
57
58
59
10
10
1
50
16
13
13
1
50
16
15
15
1
50
16
ns
ns
ns
ms
16
16
自刷新AC特性
60
61
62
t
RASS
t
RPS
t
CHS
RAS脉冲宽度在自刷新
RAS预充电时间在自刷新
CAS保持时间宽度在自Rerfresh
100K
95
50
100K
110
50
100K
130
50
ns
ns
ns
17
17
17
V53C318165A 1.0版1998年1月
6