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V53C16258HT30 参数 Datasheet PDF下载

V53C16258HT30图片预览
型号: V53C16258HT30
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内容描述: 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 560 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
(续)
25
(100 MHz)的
#
29
30
符号
t
WP
t
WCR
t
RWL
t
DS
t
DH
t
WOH
t
OED
t
RWC
t
RRW
t
CWD
t
RWD
t
CRW
t
AWD
t
PC
t
CP
t
汽车
t
t
DHR
t
企业社会责任
t
RPC
t
CHR
t
PCM
t
COH
t
OES
t
OEH
参数
把脉冲宽度
写命令保持时间从
RAS
写命令到RAS铅
时间
数据建立时间
数据保持时间
写OE保持时间
OE数据延迟时间
读 - 修改 - 写周期时间
读 - 修改 - 写周期的RAS
脉冲宽度
CAS以拖延
RAS到我们拖延在读 -
修改 - 写周期
CAS脉冲宽度( RMW )
上校地址到我们拖延
EDO快速页面模式读取或
写周期时间
CAS预充电时间
列地址到RAS设置
时间
从列存取时间
预充电
保持时间的数据引用
到RAS
CAS建立时间CAS先接后
RAS刷新
RAS到CAS预充电时间
CAS保持时间CAS先接后
RAS刷新
EDO页模式
读 - 修改 - 写周期时间
CAS低后输出保持
OE低到高CAS设置
时间
OE保持时间从我们在
读 - 修改 - 写周期
19
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35
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V53C16258H
50
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
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V53C16258H 3.8修订版1999年11月
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