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V53C16256 参数 Datasheet PDF下载

V53C16256图片预览
型号: V53C16256
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内容描述: 256K ×16的快速页面模式的CMOS动态RAM [256K x 16 FAST PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 19 页 / 148 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
(续)
30
#
21
JEDEC
符号
t
CL1QX
t
CH2QZ
t
RL1AX
符号参数
t
LZ
t
HZ
t
AR
OE或CAS来
低阻抗输出
OE或CAS来
输出高阻态
列地址
保持时间
从RAS
RAS到列
地址的延迟
时间
35
40
45
50
V53C16256H
60
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位注
0
0
0
0
0
0
ns
16
22
0
5
0
6
0
6
0
7
0
8
0
10
ns
16
23
26
28
30
35
40
50
ns
24
t
RL1AV
t
拉德
10
14
11
17
12
20
13
23
14
26
15
30
ns
11
25
t
CL1RH1(W)
t
RSH (W)的
RAS或CAS保持
在写周期
t
WL1CH1
t
WL1CL2
t
CL1WH1
t
WL1WH1
t
RL1WH1
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
写命令
CAS交货期
写命令
建立时间
写命令
保持时间
把脉冲宽度
写命令
从保持时间
RAS
写命令
RAS交货期
数据建立时间
数据保持时间
写OE保持
时间
OE数据延迟
时间
读 - 修改 - 写
周期
读 - 修改 - 写
循环RAS脉冲
宽度
CAS以拖延
RAS到我们拖延
在读 - 修改 -
写周期
CAS脉冲宽度
( RMW )
10
10
12
13
14
15
ns
26
10
11
12
13
14
15
ns
27
0
0
0
0
0
0
纳秒12,13
28
5
5
5
6
7
10
ns
29
30
5
26
5
28
5
30
6
35
7
40
10
50
ns
ns
31
t
WL1RH1
t
DVWL2
t
WL1DX
t
WL1GL2
t
GH2DX
t
RL2RL2
( RMW )
t
RL1RH1
( RMW )
t
RWL
t
DS
t
DH
t
WOH
t
OED
t
RWC
t
RRW
10
11
12
13
14
15
ns
32
33
34
0
5
5
0
5
5
0
5
6
0
6
7
0
7
8
0
10
10
ns
ns
ns
14
14
14
35
5
5
6
7
8
10
ns
14
36
100
105
110
115
130
170
ns
37
65
70
75
80
87
105
ns
38
39
t
CL1WL2
t
RL1WL2
t
CWD
t
RWD
26
50
28
54
30
58
32
62
34
68
40
85
ns
ns
12
12
40
t
CL1CH1
t
CRW
44
46
48
50
52
65
ns
V53C16256H修订版2.3 1998年6月
6