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V437464S24VXTG-75 参数 Datasheet PDF下载

V437464S24VXTG-75图片预览
型号: V437464S24VXTG-75
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内容描述: 3.3伏64M X 72高性能非缓冲ECC SDRAM模块 [3.3 VOLT 64M x 72 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED ECC SDRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率可编程只读存储器
文件页数/大小: 12 页 / 296 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V437464S24V
CILETIV LESOM
28
29
30
31
32
33
34
35
62-61
62
63
64
65-71
72
73-90
91-92
93
94
95-98
99-125
126
127
128+
SPD修订
版权所有
版权所有
SPD-表(续)
字节Num-
BER
函数来描述
最小行主动向行主动延迟
t
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度(每行)
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息(可能是Fu-使用
TURE )
修订版2 / 1.2
十六进制值
SPD项值
14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
-75PC
0E
-75
0F
-10PC
10
15纳秒/ 20纳秒
42纳秒/ 45纳秒
256兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
0F
2A
40
15
08
15
08
00
14
2D
40
15
08
15
08
00
14
2D
40
20
10
20
10
00
02
10
02
8C
40
00
12
C3
40
00
校验和字节0 - 62
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码(续)
生产地点
模块部件号( ASCII )
PCB识别码
装配制造日期(年)
组装生产日期(周)
装配序列号
V437464S24V
茂矽
40
00
00
64
00
00
00
64
00
00
00
64
00
00
英特尔规范频率
未使用的存储位置
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(I
OUT
= -4.0毫安)
分钟。
2.0
–0.5
2.4
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V437464S24V 1.0版2002年1月
5