V436664Z24V
CILETIV LESO M
产品编号信息
V
茂矽
制成的
4
3
66
64
Z
2
4
V
X
X
摹 - XX
SDRAM
3.3V
宽度
深度
144针SODIMM
X8 COMPONENT
刷新
率8K
速度
75PC = PC133 CL2,3
75
= PC133 CL3
10PC = PC100 CL2
无铅封装
G =金
部件
包装s = SOC ， B = WBGA
部件
REV A级= 0.17u ， B = 0.14u
LVTTL
4银行
框图
框图
CS0
CS1
CS0
CS0
DQM0
I/O1–I/O8
10Ω
DQM1
I/O9–I/O16
10Ω
CS1
CS3
CS1
CS2
DQM CS
I / O1 -I / O8 D0
DQM CS
I / O1 -I / O8 D1
DQM CS
I / O1 -I / O8 D8
DQM CS
I / O1 -I / O8 D9
DQM4
I/O33–I/O40
10Ω
DQM5
I/O41–I/O48
10Ω
DQM CS
I / O1 -I / O8 D4
DQM CS
I / O1 -I / O8 D5
DQM CS
I / O1 -I / O8 D12
DQM CS
I / O1 -I / O8 D13
DQM2
I/O17–I/O24
10Ω
DQM3
I/O25–I/O32
10Ω
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D2
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D3
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D10
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D11
DQM6
I/O49–I/O56
10Ω
DQM7
I/O57–I/O64
10Ω
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D6
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D7
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D14
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D15
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
A12 - A0 ， BA0 ， BA1
V
DD
C0-C31
D0-D15
D0-D15
D0-D7
D0-D15
D0-D7
V
CC
10K
WP
47K
V
SS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
时钟布线
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
16M ×64
8
4 SDRAM + 3.3pF
SDRAM芯片+ 3.3pF
8
4 SDRAM
+3.3pF
SDRAM的
+3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
CKE1
D9-D15
V436664Z24V 1.2修订版2002年2月
3
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
