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    V436632S24V 参数 Datasheet PDF下载

    V436632S24V图片预览
    型号： V436632S24V
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3伏32M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
    分类和应用： 动态存储器PC
    文件页数/大小： 12 页 / 286 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V436632S24V的Datasheet PDF文件第9页  
    V436632S24V
    写入电子
    2
    在模块亲PROM设备
    使用串行存在检测duction协议（I
    2
    C
    同步2线总线）
    串行存在检测存储设备 -
    2
    PROM - 组装到模块。信息
    E
    化有关模块的配置，速度等是
    CILETIV LESOM
    SPD-表
    字节
    数
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    17
    18
    19
    20
    21
    22
    23
    24
    CS潜伏期
    25
    26
    27
    28
    29
    V436632S24V 1.0版2002年1月
    串行存在检测信息
    十六进制值
    函数来描述
    SPD的字节数
    在串行PD总字节
    内存类型
    行地址的数目（不包括BS比特）
    列地址数（ X8 SDRAM ）
    DIMM银行数量
    模块数据宽度
    模块的数据宽度（续）
    模块接口电平
    SDRAM的周期时间在CL = 3
    从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
    DIMM配置（错误的Det /科尔。 ）
    刷新率/类型
    SDRAM宽度，主
    错误检查SDRAM的数据宽度
    最小时钟延迟从背靠背随机
    DOM列地址
    突发长度支持
    SDRAM银行数量
    支持CAS潜伏期
    SPD项值
    128
    256
    SDRAM
    13
    10
    1
    64
    0
    LVTTL
    7.5纳秒/ 10.0纳秒
    5.4纳秒/ 6.0纳秒
    无
    自刷新， 7.8μs
    x8
    N / A / X8
    t
    CCD
    = 1 CLK
    1, 2, 4, 8
    4
    CL = 2,3
    CS延迟= 0
    WL = 0
    非缓冲/无章。
    VCC TOL ±10 ％
    7.5纳秒/10.0 NS
    5.4纳秒/ 6.0纳秒
    -75PC
    80
    08
    04
    0D
    0A
    01
    40
    00
    01
    75
    54
    00
    82
    08
    00
    01
    -75
    80
    08
    04
    0D
    0A
    01
    40
    00
    01
    75
    54
    00
    82
    08
    00
    01
    -10PC
    80
    08
    04
    0D
    09
    01
    40
    00
    01
    A0
    60
    00
    82
    08
    00
    01
    0F
    04
    06
    01
    01
    00
    0E
    75
    54
    0F
    04
    06
    01
    01
    00
    0E
    A0
    60
    0F
    04
    06
    01
    01
    00
    0E
    A0
    60
    WE潜伏期
    SDRAM DIMM模块属性
    SDRAM的设备属性：一般
    最小时钟周期时间CAS延时= 2
    最大数据存取时间从时钟为CL
    =2
    最小时钟周期时间在CL = 1
    最大数据存取时间从时钟在CL
    =1
    最小行预充电时间
    最小行主动向行主动延时T
    RRD
    最低RAS到CAS延迟时间T.
    RCD
    不支持
    不支持
    00
    00
    00
    00
    00
    00
    15纳秒/ 20纳秒
    14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
    15纳秒/ 20纳秒
    0F
    0E
    0F
    14
    0F
    14
    14
    10
    14
    4

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