V436616Y24VATG-75 参数 Datasheet PDF下载

型号：	V436616Y24VATG-75
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内容描述：	3.3伏16M ×64的高性能133 MHz的SDRAM SODIMM UNBUFFERED [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE 133 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM]
分类和应用：	内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小：	12 页 / 238 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

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V436616Y24VATG-75

CILETIV LESOM

字节数

62-61

65-71

73-90

91-92

95-98

99-125

126

127

128+

SPD-表75模块：（续）

十六进制值

函数来描述

模块库密度（每行）

SDRAM的输入建立时间

SDRAM的输入保持时间

SDRAM的数据输入建立时间

SDRAM的数据输入保持时间

超集信息（可能在将来使用）

SPD修订

校验和字节0 - 62

制造商的JEDEC的ID代码

制造商的JEDEC的ID代码（续）

生产地点

模块部件号（ ASCII ）

PCB识别码

装配制造日期（年）

组装生产日期（周）

装配序列号

1 =美国，2 =台湾

V436616Y24VATG-75

目前PCB版本

二进制编码年（ BCD ）

二进制编码的周（ BCD ）

字节95 = LSB ，字节98 = MSB

茂矽

修订版2

SPD项值

128兆字节

1.5纳秒

0.8纳秒

1.5纳秒

0.8纳秒

16Mx64

英特尔规范频率

未使用的存储位置

DC特性

= 0°C至70°C ; V

= 0 V; V

, V

DDQ

= 3.3V

0.3V

限值

符号

I（L）

O（ L）

参数

输入高电压

输入低电压

输出高电压（I

OUT

= -4.0毫安）

输出低电压（I

OUT

= 4.0 mA）的

输入漏电流，任何输入

（ 0 V < V

< 3.6 V ，所有其它输入= 0V ）

输出漏电流

（ DQ被禁用， 0V < V

OUT

＆ LT ; V

)

分钟。

2.0

–0.5

2.4

—

–40

马克斯。

+0.3

0.8

—

0.4

单位

µA

–40

V436616Y24VATG - 75修订版1.3 2001年十月

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