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V436616Y24VXXG-75 参数 Datasheet PDF下载

V436616Y24VXXG-75图片预览
型号: V436616Y24VXXG-75
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能SDRAM SODIMM UNBUFFERED [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE SDRAM UNBUFFERED SODIMM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 299 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436616Y24V
写入电子
2
在模块亲PROM设备
使用串行存在检测duction协议(I
2
C
同步2线总线)
串行存在检测存储设备 -
2
PROM - 组装到模块。信息
E
化有关模块的配置,速度等是
CILETIV LESOM
字节Num-
BER
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
CS潜伏期
24
25
26
27
V436616Y24V 1.0版2002年1月
串行存在检测信息
SPD-表模块:
十六进制值
函数来描述
SPD的字节数
在串行PD总字节
内存类型
行地址的数目(不包括BS比特)
列地址数( X16
SDRAM )
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块的数据宽度(续)
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 3
从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
DIMM配置(错误的Det /科尔。 )
刷新率/类型
SDRAM宽度,主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延迟从背靠背随机
DOM列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
SPD项值
128
256
SDRAM
13
9
-75PC
80
08
04
0D
09
-75
80
08
04
0D
09
-10PC
80
08
04
0D
09
1
64
0
LVTTL
7.5纳秒/ 10.0纳秒
5.4纳秒/ 6.0纳秒
Self-Refresh,7.8
µs
x16
N / A / X16
t
CCD
= 1 CLK
1, 2, 4, 8
4
CL = 2,3
CS延迟= 0
WL = 0
非缓冲/无章。
VCC TOL ±10 %
7.5纳秒/ 10.0纳秒
01
40
00
01
75
54
00
82
10
00
01
01
40
00
01
75
54
00
82
10
00
01
01
40
00
01
A0
60
00
82
10
00
01
0F
04
06
01
01
00
0E
75
0F
04
06
01
01
00
0E
A0
0F
04
06
01
01
00
0E
A0
WE潜伏期
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
最小时钟周期时间CAS延时=
2
最大数据存取时间从时钟为
CL = 2
最小时钟周期时间在CL = 1
最大数据存取时间从时钟在CL
=1
最小行预充电时间
5.4纳秒/ 6.0纳秒
54
60
60
不支持
不支持
00
00
00
00
00
00
15纳秒/ 20纳秒
0F
14
14
4