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V436616Y24VXXG-10PC 参数 Datasheet PDF下载

V436616Y24VXXG-10PC图片预览
型号: V436616Y24VXXG-10PC
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能SDRAM SODIMM UNBUFFERED [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE SDRAM UNBUFFERED SODIMM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 299 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436616Y24V
限值
待机和刷新电流
1
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 3.3V
±
0.3V
符号参数
I
CC
1
工作电流
CILETIV LESOM
符号
I
I(L)
I
O( L)
参数
输入漏电流,任何输入
( 0 V < V
IN
< 3.6 V ,所有其它输入= 0V )
输出漏电流
( DQ被禁用, 0V < V
OUT
& LT ; V
CC
)
分钟。
–40
马克斯。
40
单位
µA
µA
–40
40
电容
符号
C
I1
C
I2
C
ICL
C
I3
C
I4
C
SC
C
IO
T
A
= 0°C至70°C ; V
DD
= 3.3V
±
0.3V , F = 1兆赫
参数
输入电容( A0到A11 , RAS , CAS , WE)
输入电容( CS0 , CSI )
输入电容( CLK0 , CLK1 )
输入电容( CKE0 , CKEI )
输入电容( DQMB0 - DQMB7 )
输入电容( SCL , SA0-2 )
输入/输出电容
限值(最大)
65
32
38
65
13
8
10
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
绝对最大额定值
参数
VDD电源相对于V电压
SS
在输入相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
马克斯。
-1到4.6
-1到4.6
0至+70
-55至125
4
单位
V
V
°C
°C
W
测试条件
突发长度= 4 , CL = 3
t
RC
> = T
RC
( MIN)
t
CK
> = T
CK
(分钟),IO = 0毫安
2行交错操作
-75PC/75
920
-10PC
840
单位
mA
1,2
I
CC
2P
I
CC
2N
预充电待机电流在电源CKE< = V
IL
(最大值),叔
CK
> = T
CK
(分钟)
Down模式
预充电待机电流在
非掉电模式
CKE> = V
IH
(分钟) ,T
CK
> = T
CK
(分) ,输入
在3个周期更换一次
8
8
mA
160
140
mA
CS = HIGH
I
CC
3P
在电力有源待机电流
Down模式
CKE< = V
IL
(最大值),叔
CK
> = T
CK
(分钟)
40
40
mA
V436616Y24V 1.0版2002年1月
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