V436616R24V
128 MB 168针无缓冲DIMM
3.3伏16M ×64
初步
s
168针无缓冲16 , 777 , 216 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
s
采用高性能256兆位, 16M ×16
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
8192刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
组件中使用
t
CK
时钟频率(最大)
CL=3
CL=2
t
AC
时钟存取时间CAS CL = 3
潜伏期
CL=2
s
在133 MHz的操作支持的潜伏期为
模块
CL
2
CILETIV LESOM
特点
t
RCD
2
描述
该V436616R24V内存模块组织
16 , 777 , 216 ×64位168针双列直插式
内存模块( DIMM ) 。在16M ×64内存
模块采用4茂矽 - 华智16M ×16 SDRAM 。该
64模块非常适用于高性能应用
计算机系统中增加内存
密度和快速的存取时间是必需的。
-7
143
133
5.4
5.4
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
t
RP
2
t
RC
8
CLK
V436616R24V修订版1.1 2002年1月
1