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V436516Y04VATG-10PC 参数 Datasheet PDF下载

V436516Y04VATG-10PC图片预览
型号: V436516Y04VATG-10PC
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内容描述: 128MB 144 -PIN UNBUFFERED SDRAM SODIMM , 16MX64 3.3VOLT [128MB 144-PIN UNBUFFERED SDRAM SODIMM, 16MX64 3.3VOLT]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 11 页 / 286 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436516Y04V
CILETIV LESOM
30
31
32
33
34
35
36-61
62
63
64-125
SPD修订
126
127
128+
SPD-表-75模块: (续)
十六进制值
字节
号功能描述
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度(每行)
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息(可能在将来使用)
修订版2 / 1.2
SPD项值
42纳秒/ 45纳秒
64兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
133兆赫
-75PC
2A
10
15
08
15
08
00
02
D2
00
133兆赫
-75
2D
10
15
08
15
08
00
02
17
00
100兆赫
-10PC
2D
10
20
10
20
10
00
12
84
00
校验和字节0 - 62
制造商的信息(可选)
马克斯。频率规格
频率支持详细信息
未使用的存储位置
133兆赫
64
64
64
00
00
00
绝对最大额定值
参数
VDD电源相对于V电压
SS
在输入相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
马克斯。
-1到4.6
-1到4.6
0至+70
-55至125
3.5
单位
V
V
°C
°C
W
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
I
O( L)
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(I
OUT
= -2.0毫安)
输出低电压(I
OUT
= 2.0 mA)的
输入漏电流,任何输入
( 0 V < V
IN
< 3.6 V ,所有其它输入= 0V )
输出漏电流
( DQ被禁用, 0V < V
OUT
& LT ; V
CC
)
分钟。
2.0
–0.5
2.4
–10
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
0.4
10
单位
V
V
V
V
µA
µA
–10
10
V436516Y04V修订版2001年1.0月
5