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V436516S04VATG-75 参数 Datasheet PDF下载

V436516S04VATG-75图片预览
型号: V436516S04VATG-75
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 12 页 / 181 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
V436516S04VATG-75
3.3伏16M ×64高性能
PC133 SDRAM UNBUFFERED模块
初步
特点
I
168针无缓冲16777216 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
I
采用高性能128兆位, 16M ×8
SDRAM在TSOPII -54封装
I
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
I
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
I
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
I
自动刷新( CBR)和自刷新
I
所有的输入,输出是LVTTL兼容
I
4096刷新周期每64毫秒
I
串行目前检测(SPD)
I
SDRAM性能
组件中使用
t
CK
时钟频率(最大) CL = 3
CL=2
t
AC
时钟存取时间CAS CL = 3
潜伏期
CL=2
描述
该V436516S04VATG -75内存模块
组织在一个168引脚双列16777216 ×64位
直插式内存模块( DIMM ) 。在16M ×64
内存模块采用8茂矽 - 华智16M ×8
SDRAM 。在x64模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
-7
143
133
5.4
5.4
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
I
在133 MHz的操作支持的潜伏期
CL
3
2
t
RCD
3
2
t
RP
3
2
t
RC
8
8
CLK
CLK
V436516S04VATG - 75修订版2.0 2001年7月
1