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V436516S04VTG-10PC 参数 Datasheet PDF下载

V436516S04VTG-10PC图片预览
型号: V436516S04VTG-10PC
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器PC时钟
文件页数/大小: 11 页 / 66 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
串行存在检测信息
串行存在检测存储设备 -
2
Ë PROM - 组装到模块。信息
化有关模块的配置,速度等是
V436516S04VTG-10PC
写入电子
2
在模块亲PROM设备
使用串行存在检测duction协议(I
2
C
同步2线总线)
SPD-表:
十六进制值
字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
函数来描述
SPD的字节数
在串行PD总字节
内存类型
行地址的数目(不包括BS比特)
列地址数( X8 SDRAM )
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块的数据宽度(续)
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 3
从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
DIMM配置(错误的Det /科尔。 )
刷新率/类型
SDRAM宽度,主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延迟从背靠背
随机列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性:一般
最小时钟周期时间CAS延时= 2
最大数据存取时间从时钟为CL = 2
最小时钟周期时间在CL = 1
最大数据存取时间从时钟在CL = 1
最小行预充电时间吨
RP
最小行主动向行主动延时T
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
SPD项值
128
256
SDRAM
12
10
2
64
0
LVTTL
10.0纳秒
6.0纳秒
自刷新, 15.6
µ
s
x8
N / A / X8
t
CCD
= 1 CLK
1,2, 4,8 &整版
4
CL = 2 & 3
CS延迟= 0
WL = 0
非缓冲/无章。
VCC TOL
±
10%
10.0纳秒
6.0纳秒
不支持
不支持
20纳秒
16纳秒
20纳秒
100兆赫
-10PC
80
08
04
0C
0A
02
40
00
01
A0
60
00
80
08
00
01
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
8F
04
06
01
01
00
0E
A0
60
00
00
14
10
14
2000 V436516S04VTG - 10PC版本1.1月
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