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V436516R04VXTG-75L 参数 Datasheet PDF下载

V436516R04VXTG-75L图片预览
型号: V436516R04VXTG-75L
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内容描述: 3.3伏16M ×64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM模块 [3.3 VOLT 16M x 64 LOW PROFILE UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 12 页 / 357 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436516R04V(L)
CILETIV LESOM
字节Num-
BER
28
29
30
31
32
33
34
35
62-61
62
63
64
65-71
72
73-90
91-92
93
94
95-98
99-125
126
127
128+
版权所有
SPD (续)表
十六进制值
函数来描述
最小行主动向行主动延迟
t
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度(每行)
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息(可能在将来使用)
SPD修订
校验和字节0 - 62
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码(续)
生产地点
模块部件号( ASCII )
PCB识别码
装配制造日期(年)
组装生产日期(周)
装配序列号
00
64
00
64
00
64
V436516R04V(L)
茂矽
修订版2 / 1.2
SPD项值
14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
-75PC
0E
-75
0F
-10PC
10
15纳秒/ 20纳秒
42纳秒/ 45纳秒
64兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
0F
2A
10
15
08
15
08
00
02
D2
40
00
14
2D
10
15
08
15
08
00
02
17
40
00
14
2D
10
20
10
20
10
00
12
85
40
00
英特尔规范频率
支持频率
未使用的存储位置
00
00
00
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(I
OUT
= -2.0毫安)
输出低电压(I
OUT
= 2.0 mA)的
分钟。
2.0
–0.5
2.4
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
0.4
单位
V
V
V
V
V436516R04V ( L) 2001 Rev.1.0十月
5