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V29C51400T 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	V29C51400T
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4兆位262,144 x 16位/ 524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用：
文件页数/大小：	16 页 / 72 K
品牌：	MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]

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茂矽

AC电气特性

（在所有温度范围）

读周期

参数

名字

t

RC

t

AA

t

ACS

t

OE

t

CLZ

t

OLZ

t

DF

t

OH

V29C51400T/V29C51400B

-70

参数

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

CE低到输出有效

OE低到输出有效

OE或CE高到输出中高Z

从地址变更输出保持

-90

分钟。

90

—

—

—

0

0

0

0

-12

分钟。

120

—

—

—

0

0

0

0

分钟。

70

—

—

—

0

0

0

0

马克斯。

—

70

70

35

—

—

20

—

马克斯。

—

90

90

45

—

—

20

—

马克斯。

—

120

120

60

—

—

30

—

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

计划（擦除/编程）循环

参数

名字

参数

t

WC

t

AS

t

AH

t

CS

t

CH

t

OES

t

OEH

t

WP

t

WPH

t

DS

t

DH

t

WHWH1

t

WHWH2

t

WHWH3

写周期时间

地址建立时间

地址保持时间

CE建立时间

CE保持时间

OE建立时间

OE高保持时间

WE脉冲宽度

WE脉冲宽度高

数据建立时间

数据保持时间

编程周期

扇区擦除周期

芯片擦除周期

-70

分钟。

70

0

45

0

0

0

0

35

20

30

0

—

—

—

-90

马克斯。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

20

10

—

-12

马克斯。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

20

10

—

典型值。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

分钟。

90

0

45

0

0

0

0

45

30

30

0

—

—

—

典型值。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

分钟。

120

0

50

0

0

0

0

50

35

30

0

—

—

—

典型值。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

马克斯。

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

20

10

—

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

µs

ms

美国证券交易委员会

字/字节CON组fi guration

参数

名字

参数

t

ELFL

/t

ELFH

t

FLQZ

t

FHQV

CE为字节交换低/高

字节低到输出高

BYTE高到输出有效

-70

分钟。

—

—

70

-90

典型值。马克斯。分钟。

—

—

—

5

20

—

—

—

120

-12

典型值。马克斯。单位

—

—

—

5

30

—

ns

ns

ns

典型值。马克斯。分钟。

—

—

—

5

20

—

—

—

90

2000 V29C51400T / V29C51400B版本1.5月

5

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