茂矽
功能说明
该V29C51004T / V29C51004B由512
1K的大小相等的部门每个字节。 16 KB
上锁的引导块是用于存储的
系统BIOS的启动代码。引导代码是第一
这段代码每次执行系统
开机或重新启动。
该V29C51004有两个版本可供选择：
V29C51004T与引导块地址开始
从7C000H到7FFFFH和V29C51004B
从00000H引导块地址开始
到3FFFFH 。
V29C51004T
16KB的引导块
1 KB
1 KB
V29C51004T/V29C51004B
V29C51004B
7FFFFH
7C000H
1 KB
1 KB
03FFFH
1 KB
00000H
00000H
1 KB
16KB的引导块
51004-15
读周期
读周期是由同时持有CE进行
和OE信号为低电平。数据输出成为唯一有效的
当满足这些条件。在读周期
我们必须CE和OE变低前高。
我们必须在读取操作期间保持高电平
对所读取的完成（见表1） 。
16KB的引导块= 32个扇区
字节写周期
该V29C51004T / V29C51004B编程
在逐字节的基础。字节写操作
通过使用特定的4总线周期开始
顺序：两个解锁程序周期，程序
setup命令和程序数据的程序循环
（见表2）。
在字节写周期中，地址是
锁存CE或WE的下降沿，
取最后一次。数据被锁存，上升沿
CE或WE的，以先到为准。字节写周期
可以控制CE或WE控制。
输出禁用
返回OE或CE高，以先到者为准
将终止读操作，然后将升/ O
引脚处于高阻抗状态。
待机
该设备将在CE进入待机模式
信号是高电平。所述升/ O引脚被放置在
HIGH -Z ，独立于OE输入状态。
扇区擦除周期
该V29C51004T / V29C51004B有
扇区擦除操作，让每个部门
被擦除和重新编程，而不影响
存储在其他部门的数据。扇区擦除操作
通过使用特定的6总线周期开始
顺序：两个解锁程序周期，一个安装
命令，两个额外的解锁程序周期，
和扇区擦除命令（见表2）。一
部门必须先擦除，然后才能进行重新
命令序列
该V29C51004T / V29C51004B不
提供“复位”功能，将芯片恢复到它的
正常状态下，当一个不完整的命令
序列或中断发生。在这
情况下，在正常操作（读取模式）可以是
通过发出一个“不存在的”命令恢复
序，例如地址： 5555H ，数据FFH 。
表1.操作模式解码
解码模式
读
字节写
待机
自动选择设备ID
自选厂商ID
启用引导块保护锁
禁用引导块保护锁
输出禁用
CE
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
H
V
IL
OE
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IL
V
H
V
H
V
IH
WE
V
IH
V
IL
X
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IH
A
0
A
0
A
0
X
V
IH
V
IL
X
X
X
A
1
A
1
A
1
X
V
IL
V
IL
X
X
X
A
9
A
9
A
9
X
V
H
V
H
V
H
V
H
X
I / O
读
PD
高-Z
CODE
CODE
X
X
高-Z
注意事项：
1， X =无关，V
IH
=高，V
IL
=低，V
H
= 12.5V最大。
2. PD：在字节地址中的数据进行编程。
2000 V29C51004T / V29C51004B版本1.5月
9
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
