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    MS62256H-35NC 参数 Datasheet PDF下载

    MS62256H-35NC图片预览
    型号： MS62256H-35NC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 109 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MS62256H-35NC的Datasheet PDF文件第9页  
    泽尔 - 华智
    开关波形（写周期）
    写周期2
    (1,6)
    MS62256H
    注意事项：
    1. W¯¯必须在地址转换高。
    2.存储器的内部写入时间由重叠Ë活性和W低限定。这两个信号必须是活动的发起和
    任何一个信号可以通过将非活动结束写入。数据输入建立和保持时间应被引用到第二
    因此终止了写入的信号的过渡边缘。
    3. T
    WR
    是给E或W变高，在写周期结束时的早期测定。
    4.在这期间， DQ引脚处于输出状态，使相位相反的到输出端的输入信号不能被应用。
    5.如果同时发生在W的负跳变或W低的过渡期后对E低电平的转换，输出保持在高
    阻抗状态。
    6， G是连续低（G = V
    IL
    ).
    7. D
    OUT
    是这个写周期写入数据的相位相同。
    8. D
    OUT
    是下一个地址的读数据。
    9.如果E为低，在此期间， DQ引脚的输出状态。然后，相位相反的到输出端的数据输入信号必须
    不能适用于它们。
    10.转变是从稳定状态下测得的± 500mV的
    L
    = 5pF的如图1B第4页上，此参数瓜拉尼
    开球，而不是100 ％测试。
    11. t
    CW
    从E量会低到写结束。

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