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    MS62256H-20RC 参数 Datasheet PDF下载

    MS62256H-20RC图片预览
    型号： MS62256H-20RC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8高速CMOS静态RAM [32K x 8 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 109 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MS62256H-20RC的Datasheet PDF文件第9页  
    泽尔 - 华智
    直流电气特性（在商业经营范围）
    参数
    名字
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    OL
    V
    OL
    V
    OH
    I
    CC
    I
    CCSB
    I
    CCSB1
    1.
    2.
    3.
    4.
    5.
    参数
    保证输入低电压
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出低电压
    输出高电压
    工作电源电流
    待机电源电流
    掉电电源
    当前
    (2,3)
    MS62256H
    MS62256H
    测试条件
    分钟。
    –0.3
    2.2
    V
    CC
    =最大，V
    IN
    = 0V至V
    CC
    V
    CC
    =最大值，E = V
    IH
    或G = V
    IH
    , V
    IN
    = 0V T O服务V
    CC
    V
    CC
    =最小，我
    OL
    = 8毫安
    V
    CC
    =最小，我
    OH
    = -4.0mA
    V
    CC
    =最大值，E = V
    IL
    , I
    DQ
    = 0毫安， F =
    V
    CC
    =最大值，E = V
    IH
    , I
    DQ
    = 0毫安
    V
    CC
    =最大，E
    ≥
    V
    V
    IN
    ≥
    V
    CC
    CC
    典型值。
    (1)
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.8
    6.0
    2
    2
    0.4
    -
    200
    40
    2
    130
    (5)
    单位
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    µA
    保证输入高电压
    (2)
    –2
    –2
    -
    2.4
    F
    米AX （ 4 ）
    -
    -
    -
    -
    – 0.2V
    - 0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    典型的特征是在V
    CC
    = 5V ，T
    A
    = 25°C.
    这些是相对于设备接地的绝对值，并且由于系统或测试器噪声，包括所有的过冲。
    V
    IL
    （分钟） = -3.0V脉冲宽度
    ≤
    20ns
    F
    最大
    = 1/t
    RC 。
    只有L型。
    电容
    (1)
    T
    A
    = 25 ° C，F = 1.0MHz的
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    参数
    输入电容
    输入/输出
    电容
    条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    I / O
    = 0V
    马克斯。
    8
    10
    单位
    pF
    pF
    1.此参数是保证，而不是测试。
    数据保持特性（在商业经营范围）
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    1.
    2.
    3.
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据保留
    时间
    手术恢复时间
    E
    ≥
    V
    E
    ≥
    V
    CC
    –
    CC
    –
    测试条件
    0.2V, V
    IN
    ≥
    V
    0.2V, V
    IN
    ≥
    V
    CC
    –
    分钟。
    2.0
    (
    -
    0
    典型值。
    (1)
    -
    2
    -
    -
    (2)
    最大
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    0.2V或V
    IN
    ≤
    0.2V
    -
    50
    4)
    -
    -
    CC
    -–
    见保留波形
    t
    RC(3)
    V
    CC
    = 2V ，T
    A
    = +25°C
    V
    CC
    = 3V
    t
    RC
    =读周期时间
    时序波形低V
    CC
    数据保存波形

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