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V62C1801024L-70V 参数 Datasheet PDF下载

V62C1801024L-70V图片预览
型号: V62C1801024L-70V
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内容描述: 超低功耗128K ×8 CMOS SRAM [Ultra Low Power 128K x 8 CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 94 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1801024L(L)  
Read Cycle (3,9) (Vcc = 1.8 to 2.2V, Gnd = 0V, TA = 00C to +700C / -400C to +850C)  
Note  
Unit  
Parameter  
Symbol  
-150  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
-70  
-85  
-100  
tRC  
tAA  
tACE  
tOE  
70  
-
-
85  
-
-
100  
-
100  
100  
50  
-
150  
-
150  
150  
70  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Read Cycle Time  
70  
70  
40  
-
85  
85  
40  
-
-
-
-
-
Address Access Time  
-
-
Chip Enable Access Time  
Output Enable Access Time  
OutputHold fromAddress Change  
Chip Enable to Output in Low-Z  
Chip Disable to Output in High-Z  
Output Enable to Output in Low-Z  
OutputDisable toOutput in High-Z  
Power-Up Time  
-
-
-
-
tOH  
10  
10  
-
10  
10  
-
10  
10  
-
10  
10  
-
tCLZ  
tCHZ  
tOLZ  
tOHZ  
tPU  
-
-
-
-
4,5  
4,5  
4,5  
4,5  
5
30  
-
35  
-
40  
-
50  
-
5
-
5
-
5
-
5
-
25  
-
30  
-
35  
-
40  
-
0
-
0
-
0
-
0
-
tPD  
70  
85  
100  
150  
5
Power-Down Time  
Write Cycle (3,11) (Vcc = 1.8 to 2.2V, Gnd = 0V, TA = 00C to +700C / -400C to +850C)  
Note  
-70  
-85  
-100  
Unit  
-150  
Parameter  
Symbol  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
tWC  
tCW  
tAW  
tAS  
70  
60  
60  
0
-
-
85  
70  
70  
0
-
-
100  
80  
80  
0
-
-
150  
120  
120  
0
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write Cycle Time  
Chip Enable to Write End  
Address Setup to Write End  
Address Setup Time  
-
-
-
-
-
-
-
-
tWP  
tWR  
tDW  
tDH  
tWZ  
tOW  
50  
0
-
60  
0
-
70  
0
-
100  
0
-
Write Pulse Width  
-
-
-
-
Write Recovering Time  
Data Valid to Write End  
Data Hold Time  
30  
0
-
35  
0
-
40  
0
-
60  
0
-
-
-
-
-
-
30  
-
-
35  
-
-
40  
-
-
50  
-
4,5  
4,5  
Write Enable to Output in High-Z  
Output Active from Write End  
5
5
5
5
5
REV. 1.1 April 2001 V62C1801024L(L)  
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